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LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Numéro d'article
LND150N3-G-P003
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Package d'appareil du fournisseur
TO-92-3
Dissipation de puissance (maximum)
740mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30mA (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Vgs (Max)
±20V
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