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LND01K1-G

LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Numéro d'article
LND01K1-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-74A, SOT-753
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-5
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
9V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
330mA (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 5V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Vgs (Max)
+0.6V, -12V
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En stock 25003 PCS
Coordonnées
Mots-clés de LND01K1-G
LND01K1-G Composants électroniques
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