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LSIC1MO120E0120

SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Numéro d'article

LSIC1MO120E0120

Fabricant/Marque

Littelfuse Inc.

Statut de la pièce

Active

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247-3

Dissipation de puissance (maximum)

139W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 14A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 7mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1125pF @ 800V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

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