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VMO550-01F
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Numéro d'article
VMO550-01F
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
Y3-DCB
Package d'appareil du fournisseur
Y3-DCB
Dissipation de puissance (maximum)
2200W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
590A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6V @ 110mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2000nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
50000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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