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VMO1200-01F

VMO1200-01F

MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
Numéro d'article
VMO1200-01F
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tray
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
Y3-Li
Package d'appareil du fournisseur
Y3-Li
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1220A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 64mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2520nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de VMO1200-01F
VMO1200-01F Composants électroniques
VMO1200-01F Ventes
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VMO1200-01F Distributeur
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