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MMIX1F160N30T
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Numéro d'article
MMIX1F160N30T
Fabricant/Marque
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
24-PowerSMD, 21 Leads
Package d'appareil du fournisseur
24-SMPD
Dissipation de puissance (maximum)
570W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
300V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
102A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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