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IXTX120P20T

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

Numéro d'article

IXTX120P20T

Fabricant/Marque

IXYS

Série

TrenchP™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

PLUS247™-3

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

740nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

73000pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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