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IXTV110N25TS

IXTV110N25TS

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
Numéro d'article
IXTV110N25TS
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PLUS-220SMD
Package d'appareil du fournisseur
PLUS-220SMD
Dissipation de puissance (maximum)
694W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
157nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IXTV110N25TS
IXTV110N25TS Composants électroniques
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