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IXTU02N50D

MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

Numéro d'article

IXTU02N50D

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-251

Dissipation de puissance (maximum)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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