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IXTN17N120L

IXTN17N120L

MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Numéro d'article
IXTN17N120L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
540W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXTN17N120L
IXTN17N120L Composants électroniques
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