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IXTH06N220P3HV

IXTH06N220P3HV

MOSFET N-CH
Numéro d'article
IXTH06N220P3HV
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3 Variant
Package d'appareil du fournisseur
TO-247HV
Dissipation de puissance (maximum)
104W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
2200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
600mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IXTH06N220P3HV
IXTH06N220P3HV Composants électroniques
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