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IXTF1R4N450
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Numéro d'article
IXTF1R4N450
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
190W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
4500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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