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IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800
Numéro d'article
IXTD4N80P-3J
Fabricant/Marque
Série
PolarHV™
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Dissipation de puissance (maximum)
100W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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