Acheter IXYS IXTB30N100L MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

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IXTB30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Numéro d'article

IXTB30N100L

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-264-3, TO-264AA

Package d'appareil du fournisseur

PLUS264™

Dissipation de puissance (maximum)

800W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 500mA, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13200pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

±30V

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