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IXFJ20N85X

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Numéro d'article

IXFJ20N85X

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

ISO TO-247-3

Dissipation de puissance (maximum)

110W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

850V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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