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IXFF24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
Numéro d'article
IXFF24N100
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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