Acheter Infineon Technologies SPW55N80C3FKSA1 MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247

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SPW55N80C3FKSA1

MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247

Numéro d'article

SPW55N80C3FKSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ C3

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO247-3

Dissipation de puissance (maximum)

500W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

54.9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 32.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 3.3mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

288nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7520pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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