Acheter Infineon Technologies SPU18P06P MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

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SPU18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

Numéro d'article

SPU18P06P

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO251-3

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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