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SPI08N80C3

MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

Numéro d'article

SPI08N80C3

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO262-3

Dissipation de puissance (maximum)

104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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