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SPD11N10

MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

Numéro d'article

SPD11N10

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

P-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

50W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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