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IRLTS6342TRPBF

IRLTS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Numéro d'article
IRLTS6342TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur
6-TSOP
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8.3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
17.5 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de IRLTS6342TRPBF
IRLTS6342TRPBF Composants électroniques
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