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IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Numéro d'article

IRF40H210

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®, StrongIRFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5406pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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