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IRF2907ZS-7PPBF

MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7

Numéro d'article

IRF2907ZS-7PPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK (7-Lead)

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

75V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

160A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 110A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7580pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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