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IRF200B211

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Numéro d'article

IRF200B211

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®, StrongIRFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

80W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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