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IPP042N03LGHKSA1

IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
Numéro d'article
IPP042N03LGHKSA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO220-3-1
Dissipation de puissance (maximum)
79W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
70A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IPP042N03LGHKSA1
IPP042N03LGHKSA1 Composants électroniques
IPP042N03LGHKSA1 Ventes
IPP042N03LGHKSA1 Fournisseur
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