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IPP023NE7N3G

IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Numéro d'article
IPP023NE7N3G
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™ 3
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO220-3
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
75V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
120A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 21227 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IPP023NE7N3G
IPP023NE7N3G Composants électroniques
IPP023NE7N3G Ventes
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