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IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Numéro d'article

IPN60R2K1CEATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-223-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT223

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Super Junction

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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