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IDC04S60CEX1SA1
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Numéro d'article
IDC04S60CEX1SA1
Fabricant/Marque
Série
thinQ!™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyenne redressée (Io)
4A (DC)
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.9V @ 4A
Courant - Fuite inverse @ Vr
50µA @ 600V
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
600V
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F
130pF @ 1V, 1MHz
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