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IDB10S60C

IDB10S60C

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Numéro d'article
IDB10S60C
Fabricant/Marque
Série
thinQ!™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D2PAK
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A (DC)
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Courant - Fuite inverse @ Vr
140µA @ 600V
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
600V
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F
480pF @ 1V, 1MHz
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Coordonnées
Mots-clés de IDB10S60C
IDB10S60C Composants électroniques
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