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BSP92PH6327XTSA1

BSP92PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
Numéro d'article
BSP92PH6327XTSA1
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-SOT223-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
260mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
104pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de BSP92PH6327XTSA1
BSP92PH6327XTSA1 Composants électroniques
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