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BSO612CVGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

Numéro d'article

BSO612CVGHUMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

PG-DSO-8

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A, 2A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

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