Acheter Infineon Technologies BS7067N06LS3G MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

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BS7067N06LS3G

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Numéro d'article

BS7067N06LS3G

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TSDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 78W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14A (Ta), 20A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 35µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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