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62-0136PBF

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Numéro d'article
62-0136PBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
-
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
19A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3710pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de 62-0136PBF
62-0136PBF Composants électroniques
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