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GB01SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Numéro d'article
GB01SLT12-252
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyenne redressée (Io)
1A
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 1A
Courant - Fuite inverse @ Vr
2µA @ 1200V
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
1200V
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F
69pF @ 1V, 1MHz
Citation requise
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