Acheter GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 TRANS SJT 300V 9A

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GA05JT03-46

TRANS SJT 300V 9A

Numéro d'article

GA05JT03-46

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 225°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-46-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-46

Dissipation de puissance (maximum)

20W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

300V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 5A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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