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DMT10H010LPS-13

MOSFET N-CH 100V 9.4A

Numéro d'article

DMT10H010LPS-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerDI5060-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.2W (Ta), 139W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.4A (Ta), 98A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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