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DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Numéro d'article
DMNH10H028SCT
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1942pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de DMNH10H028SCT
DMNH10H028SCT Composants électroniques
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