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E3M0280090D
E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
Numéro d'article
E3M0280090D
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, E
Statut de la pièce
Active
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-3
Dissipation de puissance (maximum)
54W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
900V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Vgs (Max)
+18V, -8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
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Mots-clés de E3M0280090D
E3M0280090D Composants électroniques
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