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CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Numéro d'article
CPMF-1200-S080B
Fabricant/Marque
Série
Z-FET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Dissipation de puissance (maximum)
313mW (Tj)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
50A (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90.8nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1915pF @ 800V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
+25V, -5V
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