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C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Numéro d'article
C3M0065100K
Fabricant/Marque
Série
C3M™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Colis/Caisse
TO-247-4
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-4L
Dissipation de puissance (maximum)
113.5W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
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