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C2M1000170J

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247

Numéro d'article

C2M1000170J

Fabricant/Marque

Cree/Wolfspeed

Série

C2M™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7 (Straight Leads)

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK (7-Lead)

Dissipation de puissance (maximum)

78W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.1V @ 500µA (Typ)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 1000V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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