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C2M0160120D

C2M0160120D

MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Numéro d'article
C2M0160120D
Fabricant/Marque
Série
Z-FET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-3
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
19A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32.6nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
527pF @ 800V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
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Coordonnées
Mots-clés de C2M0160120D
C2M0160120D Composants électroniques
C2M0160120D Ventes
C2M0160120D Fournisseur
C2M0160120D Distributeur
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