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C2M0080170P

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS

Numéro d'article

C2M0080170P

Fabricant/Marque

Cree/Wolfspeed

Série

C2M™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-4

Package d'appareil du fournisseur

TO-247-4L

Dissipation de puissance (maximum)

277W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

40A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 28A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 1000V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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Coordonnées

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