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CDBGBSC20650-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Numéro d'article
CDBGBSC20650-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Courant - Fuite inverse @ Vr
100µA @ 650V
Configuration des diodes
1 Pair Common Cathode
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
650V
Courant - Moyenne redressée (Io) (par diode)
33A (DC)
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
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