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AOY423

AOY423

MOSFET P-CH
Numéro d'article
AOY423
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Package d'appareil du fournisseur
TO-251B
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta), 90W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Ta), 70A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2760pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 20V
Vgs (Max)
±25V
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