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AOW418

MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262

Numéro d'article

AOW418

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

SDMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.5A (Ta), 105A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Vgs (Max)

±25V

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