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AOV20S60

AOV20S60

MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
Numéro d'article
AOV20S60
Série
aMOS™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-PowerTSFN
Package d'appareil du fournisseur
4-DFN-EP (8x8)
Dissipation de puissance (maximum)
8.3W (Ta), 278W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de AOV20S60
AOV20S60 Composants électroniques
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