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AOB412L

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

Numéro d'article

AOB412L

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

SDMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

TO-263 (D²Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

2.6W (Ta), 150W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.2A (Ta), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Vgs (Max)

±25V

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