WINSOK (Weishuo)
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WSD2018BDN22
WSD2018BDN22
Numéro d'article
WSD2018BDN22
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
WINSOK (Weishuo)
Encapsulation
DFNWB-6-EP(2x2)
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 12 VGS(V) 8 ID(A)Max. 12.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.132V 8.6 Qg(nC)@4.5V 8.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 2.2 Ciss(pF) 850 Coss(pF) 180 Crss(pF) 95
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