onsemi (Ansemi)
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
NTJD4105CT1G
Complementary, Small Signal MOSFETs
Numéro d'article
NTJD4105CT1G
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-88-6
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
This complementary dual device uses a small encapsulation (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs to achieve the smallest footprint and improve circuit efficiency. The low RDS(on) performance is ideal for single-cell or dual-cell Li-ion battery powered devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 67240 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Mots-clés de NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Composants électroniques
NTJD4105CT1G Ventes
NTJD4105CT1G Fournisseur
NTJD4105CT1G Distributeur
NTJD4105CT1G Tableau de données
NTJD4105CT1G Photos
NTJD4105CT1G Prix
NTJD4105CT1G Offre
NTJD4105CT1G Prix le plus bas
NTJD4105CT1G Recherche
NTJD4105CT1G Achat
NTJD4105CT1G Chip